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本实用新型提供一种具有抗静电放电能力的功率半导体器件，包括：一功率半导体器件，由元胞阵列排布形成；第一端口、第二端口和第三端口，形成于所述功率半导体器件中；以及一个或多个电阻，所述三个端口中的任意一端口或多个端口分别连接一所述电阻。本实用新...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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