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本发明公开了一种低成本的沟槽型半导体功率器件，包括半导体基板，并联的单胞构成位于中心的有源区，有源区的外围设置有包括一个分压环和位于分压环外侧的至少一个截止环的终端保护区；分压环由终端保护区内的P型深阱和浮置在该P型深阱中的分压沟槽构成；分...
该专利属于张家港凯思半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港凯思半导体有限公司授权不得商用。

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