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带有横向RESURF柱的沟槽-栅极器件具有在栅极沟槽下方的附加注入。所述附加注入减小了所述RESURF柱之间的半导体漂移区的有效宽度，并且这样提供了附加的栅极屏蔽，改善了所述器件的电性能。...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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