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依据本发明的一种晶圆结构以及应用其的功率器件，其中晶圆结构包括高浓度掺杂的第一掺杂层以及依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度。在功率器件中，MOSFET器件在第三掺杂层...
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