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半导体器件使用隔离沟槽，并且提供了隔离所需的一个或者多个附加沟槽。这些附加沟槽可以连接在晶体管栅极与所述漏极之间，以便提供附加的栅极-漏极电容，或者它们可被用于形成耦合至所述晶体管栅极的串联阻抗。可以单独地或者组合地使用这些措施，以便减小所...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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