温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种运用动态衬底电阻技术的自衬底触发ESD保护器件及其应用，多叉指MOS晶体管由多个并联的指状结构构成，其中每一个叉指均存在一个寄生的横向三极管，并且各寄生横向三极管集电极通过共漏极线耦接于集成电路的I/O端或者工作电位端，而寄...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。