温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区和PMOS区，且在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的源/漏区；在所述半导体衬底上形成一氧化物层以覆盖所述栅极结构，并在所述氧化物层上形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。