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本发明提供一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法，其包括元胞区、栅极电性接触区和终端保护区，所述元胞区中，利用反型制备的且与体区同型的体接触区使源区和体区实现等电位。本发明的元胞间距最小可达0.76μm，使本发明的器件为高元胞密度；本发明采用...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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