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本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面，且所述第一半导体层靠近所述基底设置，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面，所述第一表面与所述基底相邻，所述第...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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