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本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构；刻蚀所述第一半导体层，...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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