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本实用新型揭示了一种串联ROM单元，所述ROM单元至少包括通过背靠背方式相接的第一存储单元组和第二存储单元组，所述第一存储单元组和第二存储单元组的结构相同，所述第一存储单元组包括串联连接的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极和...
该专利属于苏州兆芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州兆芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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