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本实用新型涉及辐射监测技术，具体涉及一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。该监测仪采用硅PIN二极管为探测器，主要由探测装置、现场处理和显示单元组成，探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN二极管探测器，硅PIN二极管探测器包括一个用于量程高端测...
该专利属于中国辐射防护研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国辐射防护研究院授权不得商用。

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