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本发明提供了一种半导体存储单元、制造方法及存储阵列，其基于FinFET结构利用形成的十字型栅极、封闭的条状有源区，且栅极通过电荷存储复合层与有源区形成接触巧妙的构造了一种半导体存储单元，其制造方法能与现有工艺相适应，可实现大规模的工业生产，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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