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本发明公开了一种表面沟道场效应晶体管，包括：P型衬底上部形成有P阱和N阱，P阱上部两侧形成有N型源漏区，N阱上部两侧形成有P型源漏区；P型源漏区和N型源漏区旁侧形成有场氧区，P型源漏区和N型源漏区被场氧区隔离；P阱上方形成有栅氧化层、第一N...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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