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本发明公开了一种标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元，由两个单一NVM存储单元连接辅以偏置的电源和输入输出电路组成，所述单一NVM存储单元为浮栅型架构，包括在浮栅上的充当选通以及偏置作用的选择晶体管、编程晶体管和以电容接法与编程晶体管...
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