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半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法制造方法及图纸
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文档序号:8774703
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本发明公开了一种半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法,所述半导体存储装置包括:编程脉冲发生模块,所述编程脉冲发生模块被配置成响应于编程使能信号而产生第一写入控制信号、第二写入控制信号以及编程完成信号;设定编程控制电路,所述设定编程控...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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