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本发明公开了一种闪存存储器的存储单元电路结构；包括：相邻的两个存储单元A和B；相邻的两个存储单元A和B的位线BL1和BL2；两个存储单元A和B共有的源极信号线SL；位线BL1、BL2和源极信号线SL在版图上处于同一金属层；两个存储单元A和B...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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