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本发明公开一种可实现亚阈值工作的列交错SRAM结构，包括锁存型写驱动电路、SRAM存储单元阵列、行译码电路、列译码电路和灵敏放大器和读出电路；所述锁存型写驱动电路与SRAM存储单元阵列和列译码电路连接，SRAM存储单元阵列与行译码电路和灵敏...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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