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本发明涉及一种钨膜的成膜方法，形成与底层的密合性或电特性不会变差、电阻低的钨膜。在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜时，隔着吹扫交替重复进行作为钨原料的WF6气体的供给、和作为还原气体的H2气体的供给，从而在基板的表面上形成...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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