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本发明公开了一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，属于非晶半导体薄膜材料与器件技术领域。该方法包括以下步骤：①对绝缘衬底基片进行清洗；②采用射频磁控溅射方法，在上述基片表面通过硅钌复合靶溅射沉积非晶硅钌合金薄膜；③原位退火处理；④采用共面电极方法...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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