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基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列以及其操作方法技术
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下载基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列以及其操作方法的技术资料
文档序号:8744718
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本发明涉及存储器技术领域,涉及一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列结构,及其操作方法。本发明包括:晶体管,包括源极、漏极和控制栅极;存储节点,即所述晶体管控制栅极的栅介质,位于晶体管控制栅极和硅衬底之间,存储电阻变化;字线,连接到...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。
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