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本发明涉及一种多孔二氧化锡材料及其制备方法和应用，属于金属氧化物半导体传感器材料制备工艺技术领域。本发明所述方法利用溶剂热法获得分级花球结构硫化亚锡，然后利用通氧煅烧的方法获得花球状多孔二氧化锡材料。本发明所述方法利用简单的溶剂热及通氧煅烧...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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