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本发明提供一种去除晶圆上SiGe薄膜的方法，包括以下顺序步骤：步骤1.首先用高刻蚀率的刻蚀液清洗晶圆，除去晶圆表面上大部分的SiGe；其次用低刻蚀率的刻蚀液清洗晶圆，除去晶圆表面上剩余的SiGe。步骤2.用炉管高温氧化在晶圆表面形成一层二氧...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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