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本发明涉及电子设计自动化和半导体工艺制造技术领域，具体涉及一种填充冗余金属的方法。所述方法首先通过对多个互连结构进行几何参数表征、填充冗余金属并在填充后进行平坦性模拟和电容提取以建立冗余金属填充模式的填充查找表，然后对电路版图进行结构单元划...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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