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本发明涉及一种n-p结型铁铜基氧化物气敏元件的制备方法及应用，气敏传感器件采用旁热式器件结构，以氧化铝陶瓷管为载体，外表面敷有叉状金电极，两端有铂金丝引出电极，陶瓷管内有加热丝，陶瓷管外涂覆有气敏材料，所述气敏材料是n型半导体四氧化三铁和p...
该专利属于济南大学所有，仅供学习研究参考，未经过济南大学授权不得商用。

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