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一种半导体器件及其形成方法。所述形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、超低k介质层和保护层，保护层的介电常数范围包括：2.2～2.5，保护层具有致密的结构；依次刻蚀保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。
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一种半导体器件及其形成方法。所述形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、超低k介质层和保护层，保护层的介电常数范围包括：2.2～2.5，保护层具有致密的结构；依次刻蚀保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，...