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一种用于处理半导体晶片的方法包括提供半导体晶片。所述半导体晶片在至少一个方向上有曲率。所述曲率被降低，这包括在所述半导体晶片的无源区域中提供多个沟槽线，所述多个沟槽线至少部分地在所述半导体晶片的应变层中延伸并且平行于所述应变层的所述表面，所...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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