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提供一种包括将热管理设备(75)与半导体芯片设备(10)的第一半导体芯片(35)热接触放置的制造方法。所述半导体芯片设备包括耦接到所述第一半导体芯片的第一基板(60)。所述第一基板具有第一孔径(70)。所述第一半导体芯片和所述热管理设备中至...该专利属于ATI科技无限责任公司;超威半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过ATI科技无限责任公司;超威半导体公司授权不得商用。
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提供一种包括将热管理设备(75)与半导体芯片设备(10)的第一半导体芯片(35)热接触放置的制造方法。所述半导体芯片设备包括耦接到所述第一半导体芯片的第一基板(60)。所述第一基板具有第一孔径(70)。所述第一半导体芯片和所述热管理设备中至...