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本发明的电泵浦垂直扩展腔面发射半导体激光器属于半导体激光器领域，该激光器包括下电极，P型DBR层、有源层、第一N型DBR层、衬底层、第二N型DBR层、外延增透层、周期性光子晶体缺陷微腔结构和上电极；P型DBR层、有源层及第一N型DBR层构成...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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