下载半导体器件及其制造方法的技术资料

文档序号:8684225

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本发明提供一种半导体器件及其制造方法,以能够容易地形成位线,增加位线工序裕量,并减小相邻的位线之间的电容。半导体器件包括:第一柱和第二柱,其均从半导体基板竖直地延伸,并包括竖直沟道区;第一位线,其位于第一柱和第二柱内的竖直沟道区的下方部分中...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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