温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件。该晶体管制作方法可以包括：提供衬底，并且在该衬底上形成第一绝缘层；在该第一绝缘层上定义第一器件区；在该第一绝缘层上围绕该第一器件区形成侧墙隔离物；在该第一绝缘层上定义第二器件...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。