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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型晶体管区和N型晶体管区，且其上依次形成有栅介电层和覆盖层；b）在所述覆盖层上形成暴露所述P型晶体管区的光刻胶层；c）执行氮处理工艺，以在所述P型晶体管区的...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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