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本发明提供一种CMOS器件金属栅极的制造方法，本发明同时去除虚设栅极，形成栅极沟槽，利用能够凝固的流动性聚合物的填充层填充栅极沟槽，再依次在CMOS器件上第一区域和第二区域分别形成NMOS金属栅极和PMOS金属栅极，从而在可以同时去除NMO...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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