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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供包含第一晶体管区和第二晶体管区的半导体衬底，第一晶体管区和第二晶体管区内分别形成有第一伪栅极和第二伪栅极，在半导体衬底上形成有覆盖第一伪栅极和第二伪栅极的盖帽层，且在第一伪栅极和第二伪栅极之间...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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