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本发明提供一种互连结构制造方法,先在层间介质层中刻蚀金属布线沟槽,然后对金属布线沟槽铜电镀完成后去掉层间介质层再沉积低K介质层,避免了现有技术的金属布线工艺中金属布线沟槽刻蚀时造成的两侧低k介质损伤,以及防止对金属布线沟槽铜电镀时,使用Ta...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种互连结构制造方法,先在层间介质层中刻蚀金属布线沟槽,然后对金属布线沟槽铜电镀完成后去掉层间介质层再沉积低K介质层,避免了现有技术的金属布线工艺中金属布线沟槽刻蚀时造成的两侧低k介质损伤,以及防止对金属布线沟槽铜电镀时,使用Ta...