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本发明提供一种互连结构及其制造方法，先在所述层间介质层中刻蚀通孔，然后在通孔中铜电镀完成后去掉层间介质层再沉积所述第二低K介质层，避免了现有技术中通孔刻蚀时造成的两侧低k介质损伤，以及堆叠偏差造成过刻蚀情况下的通孔下方金属布线侧边的低k介质...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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