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本发明公开了一种半导体器件制作方法，该方法利用双块嵌段共聚物的自组装特别，在半导体器件上形成通孔。在一个实施例中，该方法还被进一步用来形成双大马士革结构。在形成双大马士革结构的过程中，由于双块嵌段共聚物的自组装特性，能够保证通孔的位置与沟槽...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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