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本发明提供了一种SOI结构及其制造方法，其制作的绝缘埋层BOX由三部分组成，其中，因为在离子注入形成绝缘埋层之前，在辅助栅极周围设置了辅助侧墙，离子注入时，其下方形成了连接辅助栅极下方的第一BOX和未被辅助栅极和辅助侧墙覆盖的半导体衬底基体...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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