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本发明公开了一种制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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