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本发明公开了一种制作双层栅沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，形成第一轻掺杂外延层；第二步，形成屏蔽栅；第三步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第四步，形成光刻胶图形；第五步，刻蚀；第六步，选择性生长加横向生长第二外延层；第七步，...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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