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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极；b）在所述半导体衬底和所述伪栅极上涂覆液态的牺牲层，且所述牺牲层烘烤后为固态；c）执行烘烤工艺，以形成固态的牺牲层；d）去除所述伪栅极上方的所述固...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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