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本发明涉及一种制造半导体器件的方法。本发明的方法通过在层间电介质层的在两个栅极线之间自然形成的凹部中填充双嵌段共聚物并且对该双嵌段共聚物进行自组装处理，形成了与有源区精确对准的小尺寸的接触孔，从而消除或减轻了有源区与接触孔未对准的问题。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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