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本发明公开了一种提高PowerMOS器件UIS性能的方法，包括：在现有功率MOS器件的制备工艺基础上，通过两次源极注入，形成N+N-源极，将MOS寄生N+PN管改为N+N-PN管。本发明通过在原有功率MOS器件的工艺基础上，不增加额外的光罩...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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