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本发明公开了一种成长无缝填充非晶硅沟槽的方法，该方法通过炉管LPCVD成膜外加后续高温炉管热处理，以形成现成无缝填充非晶硅沟槽。本发明能有效避免后续回刻工艺打开缝隙，将残胶，残液带入缝隙的风险，同时提升器件性能和可靠性。...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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