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本发明实施例公开了一种高密度嵌入式电容器及其制作方法，该方法包括：提供具有本体层和刻蚀阻挡层的基底；在本体层表面内形成多个垂直度良好且具有高深宽比的沟槽；对沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的本体层材料进行掺杂，得到该电容器的掺杂区，以在本体层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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