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本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，该电吸收调制器制作在衬底上，包括：形成于衬底上的下反射镜；形成于下反射镜上的介质缓冲层；形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜；形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜；以及形成于单层石墨烯薄...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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