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本发明是一种正交晶系MoO3纳米棒的制备方法。取向生长的α-MoO3纳米棒具有良好的场电子发射性能，较低的阈值电场，可广泛应用于场发射显示器件、超级电容及电化学能量存储装置等。本发明采用两步扩散脉冲激光沉积技术，以α-MoO3为靶材，在硅衬...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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