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本发明公开一种用于半导体固化的方法，包含下列步骤：将含有掺质的第一半导体材料构成的熔化半导体进行浸浴；将熔化半导体进行固化，并且另外包含，在固化过程中包括一或更多步骤，将亦含有掺质的补充性半导体材料添增至熔化半导体进行浸浴。本发明使在整个经...
该专利属于法国原子能委员会所有，仅供学习研究参考，未经过法国原子能委员会授权不得商用。

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