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本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种石墨烯条带的低温化学气相沉积制备方法。本发明的步骤是首先对铜箔进行电解抛光，然后将铜箔放入石英管反应器内，在氢气条件下进行退火，然后于500~580℃，同时调节氢气的流速为2.4~3.0sccm，并...
该专利属于东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北大学授权不得商用。

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