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本发明提供一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；各向异性湿法腐蚀，使两两相邻的3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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